英特尔芯片研发进展飞速，封装技术提升

最近，英特尔公布突破摩尔定律的三种新技术，其中包括多芯片混合封装互联密度提高10 倍、晶体管密度提升30%-50%等等技术，可以说是突飞猛进。另外，英特尔还讲述了一些新的技术，比如说Hi-K 金属栅极、FinFET 晶体管以及RibbonFET等。

在本次大会中，英特尔还展现了三大技术突破，比如说Foveros Direct技术，下面进一步了解。

其实，Foveros Direct是英特尔新型封装技术，适用于多种芯片混合封装的场景，比如说不同功能、不同制程的芯片，可以用相邻或层叠的方式，进行混合封装并使用。这项技术可以确保芯片之间的连接点密度大幅度提升，间距甚至小于10微米。

另外，Foveros Direct还支持CPU、GPU、IO芯片的结合，还可以兼容不同厂商芯片的混合封装。而它这高度的灵活性，可以根据不同的需求来定制芯片组合。因此，英特尔也希望业界可以制定统一的标准，方便不同芯片的互联。

下面再来看看RibbonFET 新型晶体管架构!其实，英特尔在2021年就展现了RibbonFET 新型晶体管架构，它可以将 NMOS 和 PMOS 堆叠在一起，提高芯片晶体管密度。

通过这项技术，可以让芯片在制程不变的情况下，晶体管密度提升30%至50%，效果出色。另外，英特尔还计划引入二维材料至芯片制造，进一步缩短连接距离，解决传统硅芯片的物理限制。