ddr2 ddr3 区别有哪些?内存ddr2 ddr3的4大区别

       关于电脑硬件的一些知识，有很多朋友都不知道，比如说在挑选内存条的时候，如何区分DDR2与DDR3之类的。因为不同的内存之间是无法互相兼容的，而DDR3内存相对于DDR2内存，确实有些不一样。下面就来看看内存ddr2 ddr3的4大区别!

ddr2 ddr3 区别有哪些?

其实，DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin，但是防呆的缺口位置不同。

另外，DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限。

内存ddr2 ddr3的4大区别!

区别一：逻辑Bank数量

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

区别二：封装(Packages)

由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

区别三：突发长度(BL，Burst Length)

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。

区别四：寻址时序(Timing)

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。

另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。

       以上就是本次ddr2 ddr3 区别有哪些的全部内容，主要讲述了内存ddr2 ddr3的4大区别。如果你也不太清楚ddr2 ddr3 的区别有哪些，那么你可以通过这篇文章来学习一下，希望可以帮助到你!